型号: | IRF640FP |
厂商: | 意法半导体 |
英文描述: | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
中文描述: | N沟道200伏,0.150Ω- 18A条- TO-220/FP网眼OVERLAYTM MOSFET的(不适用沟道功率MOSFET的) |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 56K |
代理商: | IRF640FP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF640 | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
IRF640S | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET |
IRF640S | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
IRF730 | N-Channel 400V-0.75Ω-5.5A - TO-220 PowerMESHTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
IRF740ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF640H | 制造商:HARRIS 功能描述:IRF640 |
IRF640L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF640LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF640N | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF640N_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |