- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381955 > IRF640FP (意法半导体) N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF640FP |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
| 中文描述： | N沟道200伏，0.150Ω- 18A条- TO-220/FP网眼OVERLAYTM MOSFET的（不适用沟道功率MOSFET的） |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | IRF640FP |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 100 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 160 V
I
D
= 9 A
V
GS
= 10 V
13
27
17
35
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 18 A
V
GS
= 10V
55
10
21
72
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 160 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
21
25
50
27
32
65
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
18
72
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 18 A
I
SD
= 18 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, figure 5)
V
GS
= 0
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
240
1.8
15
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
IRF640/FP
3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF640 | N-Channel 200V-0.150Ω-18A - TO-220/FP MESH OVERLAYTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
| IRF640S | N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET |
| IRF640S | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
| IRF730 | N-Channel 400V-0.75Ω-5.5A - TO-220 PowerMESHTM MOSFET(N沟道功率MOSFET) |
| IRF740ST4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF640H | 制造商:HARRIS 功能描述:IRF640 |
| IRF640L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF640LPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF640N | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF640N_04 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。