参数资料
型号: IRF644
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: 250V N-Channel MOSFET
中文描述: 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件页数: 9/10页
文件大小: 900K
代理商: IRF644
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
(Continued)
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
0.05
TO-220F
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料
PDF描述
IRF644 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=14A)
IRF644N Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)
IRF644NL Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)
IRF644NS Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=240mohm, Id=14A)
IRF644NSTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF644A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
IRF644B 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRF644B_FP001 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644FP 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF644L 功能描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件