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参数资料
| 型号： | IRF644NSTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 250V五（巴西）直|第14A条（丁）|对263AB |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 900K |
| 代理商： | IRF644NSTRL |
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
±
0
1
(
(
(
(
(
(
°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF644NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB |
| IRF644B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRFS644B | 250V N-Channel MOSFET |
| IRF650A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为200V，导通电阻为0.85Ω，漏电流为28A）) |
| IRF710-713 | N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF644NSTRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF644PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF644S | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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