参数资料
型号: IRF644NSTRR
厂商: International Rectifier
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 250V五(巴西)直|第14A条(丁)|对263AB
文件页数: 5/10页
文件大小: 900K
代理商: IRF644NSTRR
Rev. A, November 2001
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Typical Characteristics
(Continued)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
(t) = 0.9
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.01
0.2
0.05
0.1
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave P ulse D uration [sec]
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for IRF644B
t
1
P
DM
t
2
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-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-1
10
0
Notes :
1. Z
(t) = 2.89
/W M ax.
2. D uty Factor, D=t
1
/t
2
3. T
JM
- T
C
= P
DM
* Z
θ
JC
(t)
single pulse
D =0.5
0.02
0.2
0.05
0.1
0.01
Z
θ
(
t
1
, S quare W ave Pulse D uration [sec]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for IRFS644B
t
1
P
DM
t
2
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PDF描述
IRF644B 250V N-Channel MOSFET
IRFS644B 250V N-Channel MOSFET
IRF650A N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为200V,导通电阻为0.85Ω,漏电流为28A))
IRF710-713 N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V
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