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参数资料
| 型号： | IRF6603 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.4 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6590pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRF6603 IRF6603CT |
IRF6603
10000
1000
100
VGS
TOP 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
100
VGS
TOP 10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
10
1
10
0.1
0.01
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
2.7V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000.00
2.0
I D = 25A
100.00
10.00
1.00
T J = 25°C
T J = 150°C
VDS = 15V
1.5
1.0
0.5
0.10
2.0
3.0
20μs PULSE WIDTH
4.0 5.0
6.0
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
V GS = 10V
120 140
160
( C)
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
T J , Junction Temperature
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB16NBKW015D-DD | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
| 3386F-1-202T | TRIMMER 2K OHM 0.5W TH |
| 84BLN-BB2-014DN | KEYPAD BACKLIT RUBBER 4X4 LO PRO |
| KB16RKG01-12-CC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| MB2461A2W30 | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6603TR1 | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6604 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6604TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6607 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6607TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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