参数资料
型号: IRF6607
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
其它有关文件: DirectFET MOSFET 4Ps Checklist
产品变化通告: (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012
产品目录绘图: IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.3 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6930pF @ 15V
功率 - 最大: 3.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DirectFET? 等容 MT
供应商设备封装: DIRECTFET? MT
包装: 剪切带 (CT)
产品目录页面: 1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: *IRF6607
IRF6607CT
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
IRF6607TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6608 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6608TR1 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6609TR1 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube