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参数资料
| 型号： | IRF6607 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Circuit DirectFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6930pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 1524 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF6607 IRF6607CT |
IRF6607
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
6.0
5.0
4.0
ID= 20A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
3.0
1000
100
Crss
2.0
1.0
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.00
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
T J = 150°C
100
10.00
10
100μsec
1msec
1.00
0.10
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EZA-CT30AAAJ | RC NETWORK 100 OHM/10PF 5% SMD |
| 556-3709-304F | LED PNL MT 1" 230VAC WT DOME YLW |
| NCP18XM221J03RB | THERMISTOR 220 OHM NTC 0603 SMD |
| RL4005-116-95-D1 | THERMISTOR NTC DISK 200OHM 25C |
| RL4006-29.7-85-D1 | THERMISTOR NTC DISK 50OHM 25C |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6607TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6608TR1 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6609TR1 | 功能描述:MOSFET 20V N-CH 2.0 mOhm HEXFET 46nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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