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参数资料
| 型号： | IRF6644 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 150µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MN |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6644
1000.0
100.0
1000
100
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS (on)
100μsec
10.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
10
1msec
100msec
1.0
VGS = 0V
1
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.1
0.1
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00 1000.00
VSD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig11. Maximum Safe Operating Area
12
10
8
6
4
2
0
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
I D = 1.0A
I D = 1.0mA
I D = 250μA
ID = 150μA
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
Fig 12. Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
1000
800
600
400
200
0
TJ , Junction Temperature ( °C )
Fig 13. Typical Threshold Voltage vs.
Junction Temperature
ID
TOP 2.8A
3.3A
BOTTOM 6.2A
25
50
75
100
125
150
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CKP2520M2R2M-T | INDUCTOR 2.2UH MULTILAYER 1008 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6644PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6644TR1 | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6644TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6644TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6644TRPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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