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参数资料
| 型号： | IRF6644 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.8V @ 150µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MN |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6644
DirectFET ? Tape & Reel Dimension (Showing component orientation).
NOTE: Controlling dimensions in mm
Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6644). For 1000 parts on 7" reel,
order IRF6644TR1
REEL DIMENSIONS
STANDARD OPTION (QTY 4800)
TR1 OPTION (QTY 1000)
METRIC
IMPERIAL
METRIC
IMPERIAL
CODE
A
B
C
D
E
F
G
H
MIN
330.0
20.2
12.8
1.5
100.0
N.C
12.4
11.9
MAX
N.C
N.C
13.2
N.C
N.C
18.4
14.4
15.4
MIN
12.992
0.795
0.504
0.059
3.937
N.C
0.488
0.469
MAX
N.C
N.C
0.520
N.C
N.C
0.724
0.567
0.606
MIN
177.77
19.06
13.5
1.5
58.72
N.C
11.9
11.9
MAX
N.C
N.C
12.8
N.C
N.C
13.50
12.01
12.01
MIN
6.9
0.75
0.53
0.059
2.31
N.C
0.47
0.47
MAX
N.C
N.C
0.50
N.C
N.C
0.53
N.C
N.C
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 06/05
www.irf.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6644PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:DirectFET Power MOSFET |
| IRF6644TR1 | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6644TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 60A 13mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6644TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6644TRPBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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