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参数资料
| 型号： | IRF6691 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Circuit |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6580pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRF6691 IRF6691CT |
IRF6691
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 1.0mA
m ?
?Β V DSS / ? T J
R DS(on)
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
–––
12
1.8
1.2
–––
2.5
1.8
mV/°C Reference to 25°C, I D = 10mA
V GS = 4.5V, I D = 12A
V GS = 10V, I D = 15A
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.6
–––
2.5
V
V DS = V GS , I D = 250μA
? V GS(th) / ? T J
Gate Threshold Voltage Coefficient
–––
–––
-4.1
–––
–––
1.4
mV/°C I D = 10mA, reference to 25°C
mA
V DS = 20V, V GS = 0V
I DSS
I GSS
gfs
Q g
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q godr
Q sw
Q oss
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q gs2 + Q gd )
Output Charge
–––
–––
–––
–––
110
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
47
14
4.4
15
14
19
30
500
5
100
-100
–––
71
–––
–––
–––
–––
–––
–––
μA
mA
nA
S
nC
nC
V DS = 16V, V GS = 0V
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 12V
V GS = -12V
V DS = 10V, I D = 26A
V DS = 10V
V GS = 4.5V
I D = 17A
See Fig. 17
V DS = 10V, V GS = 0V
R G
t d(on)
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–––
–––
0.60
23
1.5
–––
?
V DD = 16V, V GS = 4.5V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
95
25
10
6580
2070
840
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = 26A
Clamped Inductive Load
V GS = 0V
V DS = 10V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
230
26
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current
–––
–––
200
MOSFET symbol
D
(Body Diode)
A
showing the
I SM
Pulsed Source Current
–––
–––
260
integral reverse
G
(Body Diode)
p-n junction diode.
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
32
26
0.65
48
39
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 25A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 25A
di/dt = 100A/μs
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2032SD3W03 | SW TOGGLE 3PDT BAT THR SILVER PC |
| M2032ES1W03 | SW TOGGLE 3PDT THR SILV .250"PC |
| 5636ABULCSA | SWITCH TOGGLE MINI |
| M2013BB1G01 | SWITCH TOGGLE SPDT STR SILV SLDR |
| 5644TH2RAB | SWITCH TOGGLE MINI |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6691TR1 | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6691TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6691TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6691TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6691TRPBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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