- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378636 > IRF710-713 (Fairchild Semiconductor Corporation) N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF710-713 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET，2.25A，350 - 400V |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | IRF710-713 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF711 | N-Channel Power MOSFETs, 2.25A, 350-400V |
| IRF712 | TRI CON SKT 14 GLD ST/LO |
| IRF713 | Connector Contact,SKT,CRIMP Terminal |
| IRF710B | 400V N-Channel MOSFET |
| IRFS710B | 400V N-Channel MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF710A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF710B | 功能描述:MOSFET 400V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF710L | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 2A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF710PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF710R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。