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参数资料
| 型号： | IRF712R |
| 厂商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 1.7 A, 400 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 192K |
| 代理商： | IRF712R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF720STRL | 3.3 A, 400 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF730ASTRRPBF | 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF7341IPBF | 4.7 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRF743 | 8 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| IRF842 | 7 A, 500 V, 1.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF712S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF713 | 制造商:n/a 功能描述:IRF713 |
| IRF713R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-220AB |
| IRF720 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF720_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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