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参数资料
| 型号： | IRF7201 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7201 |
IRF7201
100
TOP
VGS
15V
100
TOP
VGS
15V
10
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
10
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 3.0V
3.0V
3.0V
20μs PULSE WIDTH
20μs PULSE WIDTH
1
0.1
1
T J = 25°C
A
10
1
0.1
1
T J = 150°C
A
10
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
100
T J = 25°C
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
10
T J = 150°C
10
1
T J = 150°C
T J = 25°C
V GS = 0V
1
3.0
3.5
4.0
V DS = 10V
20μs PULSE WIDTH
4.5 5.0 5.5
A
0.1
0.4
0.6
0.8
1.0
A
1.2
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 4. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7204TR | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| T491A475K010AT | CAP TANT 4.7UF 10V 10% 1206 |
| AT4062C | SW CAP ROCKER RED |
| T491A105K016AT | CAP TANT 1UF 16V 10% 1206 |
| ECH-U1H271GB5 | CAP FILM 270PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7201HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7201PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 30mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7201TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7201TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7201TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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