参数资料
型号: IRF7204TR
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
产品目录绘图: IR Hexfet 8-SOIC
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 5.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: IRF7204DKR
IRF7204
-V DS , Drain-to-Source Voltage ( V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V GS , Gate-to-Source Voltage ( V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage ( V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J , Junction Temperature ( °C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
相关PDF资料
PDF描述
T491A475K010AT CAP TANT 4.7UF 10V 10% 1206
AT4062C SW CAP ROCKER RED
T491A105K016AT CAP TANT 1UF 16V 10% 1206
ECH-U1H271GB5 CAP FILM 270PF 50VDC 0805
ECH-U1H122GB5 CAP FILM 1200PF 50VDC 0805
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF7204TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7204TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -5.3A 60mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P LOGIC SO-8
IRF7205PBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7205TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC T/R