参数资料
型号: IRF7204TR
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
产品目录绘图: IR Hexfet 8-SOIC
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 5.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 860pF @ 10V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 标准包装
其它名称: IRF7204DKR
IRF7204
6.0
V DS
R D
5.0
R G
V GS
D.U.T.
V DD
4.0
-10V
3.0
2.0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
1.0
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
10%
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature
( ° C)
90%
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Ambient Temperature
100
D = 0.50
V DS
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
t 1
t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
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PDF描述
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T491A105K016AT CAP TANT 1UF 16V 10% 1206
ECH-U1H271GB5 CAP FILM 270PF 50VDC 0805
ECH-U1H122GB5 CAP FILM 1200PF 50VDC 0805
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