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参数资料
| 型号： | IRF7233 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7233 |
IRF7233
V G S = 0V,
C iss = C g s + C g d d s SH ORTE D
C o ss d s + C g d
6000
C rss = C g d
=C
f = 1kHz
, C
10
8
I D = -9.5A
V DS =-10V
5000
C iss
6
4000
4
3000
C o ss
C rss
2
2000
0
2
4
6
8
10
12
A
0
0
10
20
30
40
50
60
70
100
-V D S , D rain-to-So urc e Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 150°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 150 C
10
T J = 25°C
10
T A = 25 ° C
°
100us
1ms
10ms
1
V G S = 0V
A
1
Single Pulse
0.0
1.0
2.0
3.0
0.1
1
10
100
4
-V S D , S ou rce-to-D ra in Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC5-483.3SRW/H2/A/M/SMD/CTRL | CONV DC/DC 5W 36-72VIN 3.3VOUT |
| P51-1000-A-R-P-5V-000-000 | SENSOR 1000PSI M12-1.0 6G 1-5V |
| P51-100-A-J-I12-20MA-000-000 | SENSOR 100PSI 3/8-24 UNF 4-20MA |
| P51-15-G-L-I36-4.5V-000-000 | SENSOR 15PSI M10-1.25 6H .5-4.5V |
| REC5-4812SRW/H6/A/M | CONV DC/DC 5W 36-72VIN 12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7233PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7233PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7233TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7233TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7233TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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