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参数资料
| 型号： | IRF7233 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 600mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7233 |
IRF7233
Tape and Reel
SO-8
T E R M IN A L N U M B E R 1
8 .1 ( .31 8 )
1 2 .3 ( .48 4 )
1 1 .7 ( .46 1 )
7 .9 ( .31 2 )
F E E D D IR E C T IO N
N O TES:
1 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
2 . A L L D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M IL L IM E T E R S (IN C H E S ).
3 . O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1.
33 0.0 0
(1 2 .9 9 2 )
M AX .
1 4 .4 0 ( .5 66 )
1 2 .4 0 ( .4 88 )
N O TE S :
1. C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : M IL L IM E T E R .
2. O U T L IN E C O N F O R M S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1 .
WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
IR GREAT BRITAIN: Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673, Taiwan Tel: 886-2-2377-9936
http://www.irf.com/ Data and specifications subject to change without notice. 7/99
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC5-483.3SRW/H2/A/M/SMD/CTRL | CONV DC/DC 5W 36-72VIN 3.3VOUT |
| P51-1000-A-R-P-5V-000-000 | SENSOR 1000PSI M12-1.0 6G 1-5V |
| P51-100-A-J-I12-20MA-000-000 | SENSOR 100PSI 3/8-24 UNF 4-20MA |
| P51-15-G-L-I36-4.5V-000-000 | SENSOR 15PSI M10-1.25 6H .5-4.5V |
| REC5-4812SRW/H6/A/M | CONV DC/DC 5W 36-72VIN 12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7233PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7233PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7233TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7233TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7233TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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