型号: | IRF7233 |
厂商: | Analog Devices, Inc. |
英文描述: | Thermoelectric Cooler Controller |
中文描述: | 热电冷却器控制器 |
文件页数: | 24/24页 |
文件大小: | 416K |
代理商: | IRF7233 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRF750A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为400V,导通电阻为0.3Ω,漏电流为15A)) |
IRF750 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为400V,导通电阻为0.3Ω,漏电流为15A)) |
IRF820A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为3.0Ω,漏电流为2.5A)) |
IRF820S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为3.0Ω,漏电流为2.5A)) |
IRF840S | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管(漏源电压为500V,导通电阻为0.85Ω,漏电流为8A)) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRF7233PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF7233PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
IRF7233TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRF7233TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-Pin SOIC T/R |
IRF7233TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |