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参数资料
| 型号： | IRF7309 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | IRF7309 |
150
IRF7309
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs. Drain-to-
Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
N-Channel
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
A
I = 2.4A
V = 24V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 11
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
100μs
1ms
10ms
100ms
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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