- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18495 > IRF730ALPBF (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF730ALPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 74W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 散装 |
IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10 2
10
Top
V GS
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
10 2
1
0.1
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
20 μs Pulse Width
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
20 μs Pulse Width
10 -2
T C = 25 °C
0.1
V DS = 50 V
0.1
1
10
10 2
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
91046_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics
91046_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 2
V GS
2.5
I D = 5.5 A
10
Top
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
2.0
1.5
V GS = 10 V
1
0.1
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
1.0
0.5
20 μs Pulse Width
10 -2
0.1
1
T C = 150 °C
10
10 2
0.0
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91046_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91046_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Document Number: 91046
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32561J6333J189 | FILM CAP 33NF 5% 400V |
| 1624156-2 | POT 22K OHM 0.4W 20% SIDE FLAT |
| 1624149-2 | POT 1.0K OHM 0.4W 20% SIDE FLAT |
| AU-12.288MBE-T | OSCILLATOR 12.288MHZ 3.3V |
| B32559C1224K289 | CAP FILM 0.22UF 100VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF730APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF730AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF730AS/LPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET) |
| IRF730ASL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRF730ASLPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。