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参数资料
| 型号： | IRF730ALPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 74W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 散装 |
IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
V GS
V DS
R D
D.U.T.
6.0
R g
+
- V DD
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
10 V
Pulse width ≤ 1 μs
Duty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
25
50
75
100
125
150
10 %
91046_09
T C , Case Temperature (°C)
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Case Temperature
10
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
1
D = 0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
10 -2
0.01
Single Pulse
(Thermal Response)
Notes:
1. Duty Factor, D = t 1 /t 2
2. Peak T j = P DM x Z thJC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
0.1
1
91046_11
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
15 V
t p
V DS
V DS
L
Driver
- V DD
R g
20 V
t p
D.U.T
I AS
0.01 Ω
+
A
I AS
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Document Number: 91046
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32561J6333J189 | FILM CAP 33NF 5% 400V |
| 1624156-2 | POT 22K OHM 0.4W 20% SIDE FLAT |
| 1624149-2 | POT 1.0K OHM 0.4W 20% SIDE FLAT |
| AU-12.288MBE-T | OSCILLATOR 12.288MHZ 3.3V |
| B32559C1224K289 | CAP FILM 0.22UF 100VDC RADIAL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF730APBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF730AS | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF730AS/LPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET) |
| IRF730ASL | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRF730ASLPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET) |
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