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参数资料
型号： IRF7313PBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 2/7页
文件大小： 216K
代理商： IRF7313PBF
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相关PDF资料
PDF描述
IRF7313 HEXFET POWER MOSFET
IRF7317 LED, LOW CURRENT, 5MM
IRF7319 HEXFET?? Power MOSFET
IRF7321D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7324D1 FETKY MOSFET / Schottky Diode
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF7313QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7313TR 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO
IRF7313TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
IRF7313TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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