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参数资料
| 型号： | IRF7313PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | IRF7313PBF |
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0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
0
300
600
900
1200
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
5.8A
V
= 15V
DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7313 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7317 | LED, LOW CURRENT, 5MM |
| IRF7319 | HEXFET?? Power MOSFET |
| IRF7321D2PBF | FETKY MOSFET & Schottky Diode |
| IRF7324D1 | FETKY MOSFET / Schottky Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7313QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7313QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7313TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO |
| IRF7313TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7313TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 6.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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