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参数资料
| 型号： | IRF7317 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | LED, LOW CURRENT, 5MM |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 156K |
| 代理商： | IRF7317 |
IRF7317
Fig 21.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 20.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
P-Channel
Fig 22.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
-
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
I = -2.9A
V = -16V
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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