- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21638 > IRF7322D1 (International Rectifier)MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7322D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7322D1 |
IRF7322D1
MOSFET Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
?
63 R G = 6.0 ?
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
-20
—
—
-0.70
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.049
0.082
—
5.9
—
—
—
—
19
4.0
7.7
15
40
42
49
780
470
240
— V V GS = 0V, I D = -250μA
0.062 V GS = -4.5V, I D = -2.9A ?
0.098 V GS = -2.7V, I D = -1.5A ?
— V V DS = V GS , I D = -250μA
— S V DS = -10V, I D = -1.5A
-1.0 V DS = -16V, V GS = 0V
μA
-25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 55°C
100 V GS = -12.0V
nA
-100 V GS = 12.0V
29 I D = -2.9A
6.1 nC V DS = -16V
12 V GS = -4.5V (see figure 6) ?
22 V DD = -10V
60 I D = -2.9A
ns
73 R D = 3.4 ? ?
— V GS = 0V
— pF V DS = -15V
— ? = 1.0MHz (see figure 5)
MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
Continuous Source Current (Body Diode)
— —
-2.5 A
I SM
Pulsed Source Current (Body Diode)
— — -21
V SD
t rr
Q rr
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time (Body Diode)
Reverse Recovery Charge
— — -1.2 V
— 47 71 ns
— 49 73 nC
T J = 25°C, I S = -2.9A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -2.9A
di/dt = 100A/μs ?
Schottky Diode Maximum Ratings
Parameter
Max. Units.
Conditions
I F(av)
I SM
Max. Average Forward Current
Max. peak one cycle Non-repetitive
Surge current
2.7
2
120
11
A
A
50% Duty Cycle. Rectangular Wave, T A = 25°C
See Fig. 14
T A = 70°C
5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated
10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition &
with V RRM applied
Schottky Diode Electrical Specifications
Parameter
Max. Units
Conditions
V FM
Max. Forward voltage drop
0.50
0.62
0.39
0.57
V
I F = 1.0A, T J = 25°C
I F = 2.0A, T J = 25°C
I F = 1.0A, T J = 125°C
I F = 2.0A, T J = 125°C .
I RM
Max. Reverse Leakage current
0.02
8
mA
V R = 20V T J = 25°C
T J = 125°C
C t
dv/dt
2
Max. Junction Capacitance
Max. Voltage Rate of Charge
92 pF
3600 V/ μs
V R = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C
Rated V R
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1301040021 | HANDLAMP 26W 120V HAZARD DUTY |
| 1301710045 | BALANCER 20.5-27.3KG 1.5M W/LOCK |
| 1301710042 | BALANCER 20.5-27.3KG 1.5METER |
| 1301710037 | BALANCER 15.9-21.8KG 1.5METER |
| IRF520NSTRL | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7322D1HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 98 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7322D1TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7322D1TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -5.3A 62mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。