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参数资料
| 型号： | IRF7322D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7322D1 |
IRF7322D1
Power Mosfet Characteristics
1400
1200
1000
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
C oss
10
8
6
I D = -2.9A
V DS = -16V
600
4
400
C rss
2
200
0
A
0
A
1
10
100
0
5
10
15
20
25
30
100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 150 C
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
°
T J = 25 C
10
°
10
100us
1ms
1
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2
1.4
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1301040021 | HANDLAMP 26W 120V HAZARD DUTY |
| 1301710045 | BALANCER 20.5-27.3KG 1.5M W/LOCK |
| 1301710042 | BALANCER 20.5-27.3KG 1.5METER |
| 1301710037 | BALANCER 15.9-21.8KG 1.5METER |
| IRF520NSTRL | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7322D1HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 98 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7322D1TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7322D1TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7322D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -5.3A 62mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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