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参数资料
| 型号： | IRF7324D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | FETKY MOSFET / Schottky Diode |
| 中文描述： | FETKY MOSFET的/肖特基二极管 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | IRF7324D1TR |
IRF7324D1
4
www.irf.com
R
D
(
)
R
D
(
)
Power Mosfet Characteristics
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 7.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 5.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
0.1
1
10
100
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
A
-
D
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
100μs
1ms
10ms
T = 25°C
T = 100°C
Single Pulse
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
A
I = -3.6A
V = -4.5V
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
2
4
6
8
A
I = -2.9A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0
1
2
3
A
VGS =-5.0V
-I , Drain Current (A)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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