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参数资料
| 型号： | IRF7350 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=+-100V) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（减振钢板基本\u003d - 100V的） |
| 文件页数： | 4/16页 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | IRF7350 |
IRF7350
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
0
4
8
12
16
20
0
2
5
7
10
12
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I
=
D
2.1A
V
= 20V
DS
V
= 50V
DS
V
= 80V
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
IS
TJ = 25
°
C
TJ = 150
°
C
VGS = 0V
1
10
100
1000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
N-CHANNEL
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