型号: | IRF7379 |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET |
中文描述: | 功率MOSFET |
文件页数: | 10/10页 |
文件大小: | 215K |
代理商: | IRF7379 |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF7379HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8-Pin SOIC |
IRF7379IPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF7379PBF | 功能描述:MOSFET 30V DUAL N / P CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF7379PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:2.5W |
IRF7379QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |