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参数资料
| 型号： | IRF7379 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | IRF7379 |
IRF7379
www.irf.com
5
Fig 10.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
N-Channel
0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
A
I = 2.4A
V = 24V
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 11
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
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