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参数资料
| 型号： | IRF737LC-002PBF |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 6.1 A, 300 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | IRF737LC-002PBF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IXGB25N60R2 | 25 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| KSM8WBT | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY-TACTILE, 0.05A, 12VDC, 2.06 N, THROUGH HOLE-STRAIGHT |
| L00832A0000 | INTERCONNECTION DEVICE |
| L00895C0014 | INTERCONNECTION DEVICE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF737LCS | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF737LCSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF737LCSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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