- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384491 > IRF7406 (International Rectifier) HEXFET POWER MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7406 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 216K |
| 代理商： | IRF7406 |
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
=10V
()***
V
DD
()
I
SD
01
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
.
,) 6/.
J,J
6//( @@
&/
& #/
*
& #&-'
: 1
/
., /: <
KKJ<,: <41
/
K
//
///
: & '&,",,
23(4(
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7416PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7425PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7425 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF744 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7451PBF | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7406GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7406HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SOIC - Rail/Tube |
| IRF7406PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 45mOhms 39.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7406TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -5.8A, 45 mOhm, 39.3 nC Qg, SO-8 |
| IRF7406TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-Pin SOIC T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。