参数资料
型号: IRF740ST4
厂商: 意法半导体
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶体管| MOSFET的| N沟道| 400V五(巴西)直| 10A条(丁)|对263AB
文件页数: 7/8页
文件大小: 93K
代理商: IRF740ST4
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.3
4.6
0.169
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.25
1.4
0.049
0.055
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.21
1.36
0.047
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
E
10
10.28
0.393
0.404
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.624
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
L2
L3
L
B2
B
G
E
A
C2
D
C
A1
P011P6/C
TO-263 (D
2
PAK) MECHANICAL DATA
IRF740S
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PDF描述
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IRF740STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740STRR 功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF740STRRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF741 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk