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参数资料
| 型号： | IRF7421D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7421D1 |
PD- 91411D
IRF7421D1
FETKY ? MOSFET / Schottky Diode
l
l
l
l
Co-packaged HEXFET ? Power
MOSFET and Schottky Diode
Ideal For Synchronous Regulator
Applications
Generation V Technology
SO-8 Footprint
A
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
D
D
D
D
V DSS = 30V
R DS(on) = 0.035 ?
Schottky Vf = 0.39V
Top View
Description
The FETKY TM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer
the designer an innovative board space saving solution for switching
regulator applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combining
this technology with International Rectifier's low forward drop Schottky
rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide
variety of portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced
thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase,
infrared or wave soldering techniques.
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C unless otherwise noted)
SO-8
Parameter
Maximum
Units
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
dv/dt
T J, T STG
Continuous Drain Current, V GS @10V ?
Pulsed Drain Current à
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt á
Junction and Storage Temperature Range
5.8
4.6
46
2.0
1.3
16
± 20
-5.0
-55 to +150
A
W
W/°C
V
V/ns
°C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Maximum
Units
R θ JA
Junction-to-Ambient ?
62.5
°C/W
Notes:
à Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see figure 11)
á I SD ≤ 4.1A, di/dt ≤ 110A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS , T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 10sec .
www.irf.com
1
10/18/04
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7421D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7421D1TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7421D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7422D2 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FETKY SO-8 |
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