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参数资料
| 型号： | IRF7421D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 510pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7421D1 |
IRF7421D1
Power Mosfet Characteristics
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 4.1A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = 10V
A
100 120 140 160
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 6. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
1
100μs
1ms
10ms
0.1
T A = 25°C
T J = 150°C
Single Pulse
A
0.1
1
10
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
4
Fig 7. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT3074JF | CAP SCULPTURED CLR/GRN ILLUM UB2 |
| AT079A | SW CAP SCREW-ON .394" RND BLACK |
| 3214J-1-205E | TRIMMER 2M OHM 0.25W SMD |
| AT3074JB | SW CAP SQ SW CAP CLEAR WHITE |
| AT3073JA | SW CAP SQ NON-ILLUM CLEAR BLACK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7421D1_98 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:MOSFET / Schottky Diode |
| IRF7421D1PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 35mOhms 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7421D1TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7421D1TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7422D2 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FETKY SO-8 |
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