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参数资料
型号： IRF7425PBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 4/9页
文件大小： 162K
代理商： IRF7425PBF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-15A
V
=-10V
DS
V
=-16V
DS
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
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PDF描述
IRF7425 HEXFET Power MOSFET
IRF744 HEXFET POWER MOSFET
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IRF7452PBF HEXFET Power MOSFET
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参数描述
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IRF7425TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7426TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF742FI 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
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