参数资料
型号: IRF7451PBF
厂商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的开关电源
文件页数: 4/8页
文件大小: 140K
代理商: IRF7451PBF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
Q , Total Gate Charge (nC)
V
I =
2.2A
V
= 30V
DS
V
= 75V
DS
V
= 120V
DS
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
100000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
相关PDF资料
PDF描述
IRF7452PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7456PBF SMPS MOSFET
IRF7460PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7466PBF SMPS MOSFET
IRF7468PBF SMPS MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRF7451TR 功能描述:MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7451TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7452 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7452HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC
IRF7452PBF 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube