参数资料
型号: IRF7452
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
标准包装: 95
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 60 毫欧 @ 2.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 930pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 管件
其它名称: *IRF7452
IRF7452
5.0
4.0
R G
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
3.0
10V
2.0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
1.0
V DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature ( C)
°
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
100
D = 0.50
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 10. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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