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参数资料
| 型号： | IRF7452 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7452 |
IRF7452
SO-8 Package Details
D
-B-
5
DIM
A
INCHES
MIN MAX
.0532 .0688
MILLIMETERS
MIN MAX
1.35 1.75
5
E
8
7
6
5
H
A1
B
.0040
.014
.0098
.018
0.10
0.36
0.25
0.46
-A-
1
2
3
4
0.25 (.010)
M
A M
C
D
.0075
.189
.0098
.196
0.19
4.80
0.25
4.98
E
.150
.157
3.81
3.99
-C-
e
6X
B 8X
0.25 (.010)
e1
A
A1
M C A S B S
0.10 (.004)
θ
θ
L
8X
K x 45 °
6
C
8X
e .050 BASIC 1.27 BASIC
e1 .025 BASIC 0.635 BASIC
H .2284 .2440 5.80 6.20
K .011 .019 0.28 0.48
L 0.16 .050 0.41 1.27
θ 0 ° 8 ° 0 ° 8 °
RECOMMENDED FOOTPRINT
NOTES:
1.
2.
3.
DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M-1982.
CONTROLLING DIMENSION : INCH.
DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS (INCHES).
0.72 (.028 )
8X
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS
6.46 ( .255 )
1.78 (.070)
8X
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 (.006).
6 DIMENSIONS IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE..
1.27 ( .050 )
3X
SO-8 Part Marking
www.irf.com
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-3000-A-J-D-5V-000-000 | SENSOR 3000PSI 3/8-24 UNF 1-5V |
| P51-300-A-C-M12-5V-000-000 | SENSOR 300PSI M12-1.5 6G 1-5V |
| REC3-1212SR/H1/M/SMD | CONV DC/DC 3W 12VIN 12VOUT |
| P51-3000-S-F-M12-4.5OVP-000-000 | SENSOR 3000PSI 1/4-18NPT .5-4.5V |
| P51-200-G-E-I36-5V-000-000 | SENSOR 200PSI 3/8-24UNF 1-5V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7452HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC |
| IRF7452PBF | 功能描述:MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 33nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7452QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7452QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET |
| IRF7452QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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