参数资料
型号: IRF7468
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
标准包装: 95
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2460pF @ 20V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SO
包装: 管件
其它名称: *IRF7468
IRF7468
SO-8 Package Details
D
-B -
5
D IM
A
IN C H E S
M IN M AX
.05 32 .06 88
M ILLIM E T E R S
M IN M AX
1.3 5 1.75
5
E
8
7
6
5
H
A1
B
.00 40
.01 4
.00 98
.01 8
0.1 0
0.3 6
0.25
0.46
-A -
1
2
3
4
0 .2 5 (.0 1 0 )
M
A M
C
D
.00 75
.18 9
.009 8
.196
0.19
4.80
0.25
4.98
E
.15 0
.15 7
3.8 1
3.99
e
6X
e1
A
θ
θ
K x 4 5°
e
e1
H
K
.05 0 B A S IC
.02 5 B A S IC
.22 84 .244 0
.01 1 .01 9
1.27 B A S IC
0 .635 B A S IC
5.8 0 6.20
0.2 8 0.48
-C -
B 8X
0 .2 5 (.0 1 0 )
A1
M C A S B S
0 .1 0 (.0 0 4 )
L
8X
6
C
8X
L
θ
0.16 .05 0 0.4 1
0° 8° 0°
R E C O M M E N D E D F O O T P R IN T
1.27
NOTES:
1 . D IM E N S IO N IN G A N D T O L E R A N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5 M -1 9 8 2 .
2 . C O N T R O L L IN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 . D IM E N S IO N S A R E S H O W N IN M IL L IM E T E R S (IN C H E S ).
0 .7 2 (.0 2 8 )
8X
4 . O U T L IN E C O N F O R M S T O J E D E C O U T L IN E M S -0 1 2 A A .
5 D IM E N S IO N D O E S N O T IN C L U D E M O L D P R O T R U S IO N S
M O L D P R O T R U S IO N S N O T T O E X C E E D 0 .2 5 (.0 0 6 ).
6 D IM E N S IO N S IS T H E L E N G T H O F L E A D F O R S O L D E R IN G T O A S U B S T R A T E ..
6 .4 6 ( .2 5 5 )
1 .2 7 ( .0 5 0 )
1 .7 8 (.0 7 0 )
8X
3X
SO-8 Part Marking
www.irf.com
7
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PDF描述
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参数描述
IRF7468HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC
IRF7468PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 15.5mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7468TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7468TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
IRF7468TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 9A 15.5mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube