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参数资料
| 型号： | IRF7490PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IRF7490PBF |
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
A
= 70°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
A
= 25°C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
A
= 70°C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 20 mW/°C
T
J
Operating Junction and
T
STG
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Parameter
Max.
100
Units
V
Drain-Source Voltage
± 20
5.4
4.3
43
2.5
1.6
A
W
-55 to + 150
°C
300 (1.6mm from case )
www.irf.com
1
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
IRF7490PbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 9
Absolute Maximum Ratings
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
39m @V
GS
=10V
Q
g
37nC
High frequency DC-DC converters
Lead-Free
Benefits
Low Gate-to-Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C
OSS
to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7490 | LED RED HLMP-6000-012 SMT |
| IRF7491 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7492PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7492 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7493 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7490TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7490TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 5.4A 39mOhm 37nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7491 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| IRF7491PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| IRF7492 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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