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参数资料
| 型号： | IRF7707 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2361pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
PD -93996
IRF7707
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Very Small SOIC Package
Low Profile (< 1.2mm)
V DSS
-20V
R DS(on) max
22m ? @V GS = -4.5V
33m ? @V GS = -2.5V
I D
- 7.0A
- 6.0A
l
Available in Tape & Reel
Description
HEXFET ? Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve ex-
1
2
D
8
7
tremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the ruggedized device design, that Inter-
national Rectifier is well known for, provides thedesigner
with an extremely efficient and reliable device for
3
4
1=
2=
D
S
G
S
8=
7=
D
S
6
5
battery and load management.
3=
4=
S
G
6=
5=
S
D
TSSOP-8
The TSSOP-8 package has 45% less footprint area than
the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal
device for applications where printed circuit board space
is at a premium. The low profile (<1.2mm) allows it to fit
easily into extremely thin environments such as portable
electronics and PCMCIA cards.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
T J , T STG
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation ?
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-20
-7.0
-5.7
-28
1.5
1.0
0.01
±12
-55 to +150
V
A
W
W
W/°C
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
83
°C/W
1
10/04/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT496A | CAP SWITCH .295" BLK MB24SERIES |
| 96AC2-102-R | KEYPAD 12 BTN REAR PANEL MNT |
| 96AC2-102-F | KEYPAD 12 BTN REAR PANEL MNT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7707GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -7A 14.3mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7707PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8 |
| IRF7707TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7707TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -7A 14.3mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7726 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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