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参数资料
| 型号： | IRF7707 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2361pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
IRF7707
TSSOP-8 Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRF7702
LOT CODE (XX)
DAT E CODE (YW)
PART NUMBER
XXYW
7702
T ABLE 1
WORK WEEK 1-26, NUMERIC YEAR CODE (1,2, ....ET C.)
WORK
YEAR
2001
2002
2003
Y
1
2
3
WEEK
01
02
03
W
A
B
C
DAT E CODE EXAMPLES :
9503 = 5C
9532 = EF
1994
1995
1996
1997
4
5
6
7
04
D
1998
1999
8
9
2000
0
24
25
26
X
Y
Z
T ABLE 2
WORK WEEK 27-52, ALPHANUMERIC YEAR CODE (A,B, ...ETC.)
WORK
YEAR
2001
2002
2003
1994
1995
1996
1997
1998
1999
2000
Y
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
WEEK
27
28
29
30
50
51
52
W
A
B
C
D
X
Y
Z
TSSOP-8 Tape and Reel
8LT SSOP (MO-153AA)
16 mm
? 13"
16mm
www.irf.com
8 mm
FEED DIRECT ION
NOT ES:
1. T APE & REEL OUT LINE CONFORMS T O EIA-481 & EIA-541.
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT496A | CAP SWITCH .295" BLK MB24SERIES |
| 96AC2-102-R | KEYPAD 12 BTN REAR PANEL MNT |
| 96AC2-102-F | KEYPAD 12 BTN REAR PANEL MNT |
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| MB2461E1W01-HA | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 3A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7707GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -7A 14.3mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7707PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8 |
| IRF7707TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7707TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V -7A 14.3mOhm 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7726 | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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