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参数资料
| 型号： | IRF7821 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 210K |
| 代理商： | IRF7821 |
www.irf.com
1
1/14/03
IRF7821
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 10
Benefits
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Low Gate Charge
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
l High Frequency Point-of-Load
Synchronous Buck Converter for
Applications in Networking &
Computing Systems.
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
G
S
A
S
A
SO-8
VDSS
RDS(on) max
Qg(typ.)
30V
9.1m
W@VGS= 10V
9.3nC
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
VDS
Drain-to-Source Voltage
V
VGS
Gate-to-Source Voltage
ID @ TA = 25°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TA = 70°C
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
A
IDM
Pulsed Drain Current
c
PD @TA = 25°C
Power Dissipation
f
W
PD @TA = 70°C
Power Dissipation
f
Linear Derating Factor
W/°C
TJ
Operating Junction and
°C
TSTG
Storage Temperature Range
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJL
Junction-to-Drain Lead
g
–––
20
°C/W
RθJA
Junction-to-Ambient
fg
–––
50
-55 to + 155
2.5
0.02
1.6
Max.
13.6
11
100
± 20
30
PD - 94579B
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