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参数资料
型号： IRF7821
厂商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件页数： 8/10页
文件大小： 210K
代理商： IRF7821
IRF7821
www.irf.com
7
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 16. Gate Charge Test Circuit
Fig 15.
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤ 5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
VGS=10V
VDD
ISD
Driver Gate Drive
D.U.T. ISD Waveform
D.U.T. VDS Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
* VGS = 5V for Logic Level Devices
*
+
-
+
-
RG
VDD
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Fig 17. Gate Charge Waveform
Vds
Vgs
Id
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
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PDF描述
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参数描述
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IRF7821HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SOIC - Rail/Tube
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IRF7821TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 13.6A 9.1mOhm 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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