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参数资料
| 型号： | IRF820STRRPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF820S, SiHF820S
Vishay Siliconix
800
600
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
C iss
400
200
C oss
10 0
150 ° C
25 ° C
0
C rss
V GS = 0 V
10 0
10 1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
91060_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91060_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
16
12
I D = 2.1 A
V DS = 400 V
V DS = 250 V
V DS = 100 V
10 2
5
2
10
5
2
Operation in this area limited
by R DS(on)
10 μs
100 μs
1
1 ms
8
5
2
10 ms
10 2
10
4
0
0
4
8
12
16
For test circuit
see figure 13
20 24
0.1
5
2
10 -2
0.1
2
5
1
2
5
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
2 5
2
5
10 3
2
5
10 4
91060_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91060_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91060
S11-1049-Rev. C, 30-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF820 | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB |
| IRF840LPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
| IRF840STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK |
| IRF8714GPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF8721GTRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF821 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF821FI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF821R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB |
| IRF822 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| IRF822FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
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