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参数资料
| 型号： | IRF840LPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 850 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 125W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 散装 |
IRF840L, SiHF840L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
V GS
Top
15 V
10 1
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
10 1
150 ° C
25 ° C
Bottom 4.5 V
10 0
4.5 V
10 0
20 μs Pulse Width
T C = 25 °C
20 μs Pulse Width
V DS = 50 V
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91069_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
91069_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
10 1
Top
V GS
15 V
10 V
3.0
2.5
I D = 8.0 A
V GS = 10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
2.0
5.5 V
5.0 V
4.5 V
1.5
Bottom 4.5 V
1.0
10 0
20 μs Pulse Width
T C = 150 °C
0.5
0.0
10 0
10 1
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91069_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91069_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
Document Number: 91069
S10-2554-Rev. B, 08-Nov-10
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF840PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF840R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF840RU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF840S | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF840SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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