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参数资料
| 型号： | IRF9392TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.1 毫欧 @ 7.8A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9392PbF
50
40
30
ID = -9.8A
50
40
30
Vgs = -4.5V
20
T J = 125°C
20
10
0
T J = 25°C
10
0
Vgs = -10V
0
5
10
15
20
25
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-V GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
500
ID
TOP -2.0A
-ID, Drain Current (A)
Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current
1000
400
300
200
100
0
-2.8A
BOTTOM -7.8A
800
600
400
200
0
25
50
75
100
125
150
1E-5
1E-4
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Time (sec)
Fig 15 . Typical Power vs. Time
D.U.T *
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
?
-
-
?
+
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
?
R G
?
?
?
?
di/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Re-Applied
Voltage
Inductor Curre nt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple ≤ 5%
I SD
*
Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel
* V GS = 5V for Logic Level Devices
www.irf.com
Fig 16. Diode Reverse Recovery Test Circuit for P-Channel HEXFET ? Power MOSFETs
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9393PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 19.4mOhms 14nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9393TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9395MPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Isolation Switch for Input Power or Battery Application |
| IRF9395MTR1PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF9395MTRPBF | 功能描述:MOSFET DUAL P-CH -30V 7mOhms 64nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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