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参数资料
| 型号： | IRF9520NSTRL |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF9520NS/L
VD S
L
400
TOP
I D
-1.7A
R G
-2 0 V
tp
D .U .T
IA S
0 .0 1 ?
D R IV E R
VD D
A
300
-2.8A
BOTTOM -4.0A
200
15V
100
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
Starting T J , Junction Temperature ( C)
I AS
25
50 75 100 125 150
°
175
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
tp
V (BR)DSS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
-10V
V G
Q GS
Q G
Q GD
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
-3mA
D.U.T.
V DS
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1300830225 | CABLE REEL-INDUST DUTY 50' 16-3 |
| 3S1-C21 | CAP WHITE 7.4MM DIA FOR 3S1 SER |
| UB15SKG035D-AB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB15SKG035C-AB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB15SKG035F-AB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF9520NSTRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF9520NSTRLPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -6.8A, 480 MOHM, 18 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P 100V D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, 100V, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| IRF9520NSTRR | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF9520NSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF9520NSTRRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 6.8A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
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