型号: | IRF9522 |
厂商: | Supertex, Inc. |
英文描述: | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
中文描述: | P通道增强型立式DMOS功率场效应管 |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | IRF9522 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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IRF9523 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
IRFD120 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
IRFD120 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.27ohm, Id=1.3A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRF9523 | 制造商:SUPERTEX 制造商全称:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
IRF9530 | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF9530_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRF9530-220M | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
IRF9530L | 功能描述:MOSFET P-CH 100V 12A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |